รายละเอียดเพิ่มเติม

Mosfet K2611/3878 TOSHIBA SUMO

รายละเอียดสินค้า

มอสเฟต(MOSFET) นั้นจะเป็นทรานซิสเตอร์อีกแบบหนึ่ง และเป็นอุปกรณ์ทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ได้รับความนิยมมากในปัจจุบันครับ ในการนำไปใช้ในการออกแบบเป็นวงจรรวม ซึ่งอุปกรณ์มอสเฟต(MOSFET)นั้นจะแบ่งได้เป็น 2 ชนิด คือ n-channel และ p-channel โดยอุปกรณ์ทางอิเล็กทรอนิกส์นี้จะสร้างขึ้นมาจากสารกึ่งตัวนำซึ่งจะประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิด N และสารกึ่งตัวนำชนิด P

ควบคุมปริมาณของสนามไฟฟ้า ระหว่างรอยต่อให้เพิ่ม ขึ้นหรือลดลง สามารถใช้กับเครื่องเชื่อม TIG, AC, DC, STICK, CUT และใช้ได้กับทุกแบรนด์ในระบบเดียวกัน

Features

  • Low drain-source ON resistance : RDS (NO) = 1.0 Ω (typ.)
  • High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 s (typ.)
  • Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (VDS = 720V)
  • Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10, ID = 1 mA)